onsemi推出GaNEXUS氮化鎵產品組合，搶攻90億美元功率晶片市場

onsemi全新GaNEXUS氮化鎵電源產品組合與傳統矽基解決方案相比，能將磁性元件體積縮小最多60%，功率密度提升最高達2倍，目標鎖定分析師預測將在2030年前突破90億美元的氮化鎵晶片市場。

「GaNEXUS正為電源系統設計開創全新架構，」onsemi氮化鎵部門副總裁Antoine Jalabert表示。「隨著客戶要求在更小空間內實現更高功率，它為工程師提供了更大的靈活性，以克服過去限制傳統電源架構的各項瓶頸。」

首批產品陣容包括涵蓋40伏至650伏的GaNEXUS FET，以及具備整合保護功能的GaNEXUS Smart 650V元件，可簡化系統整合。在AI伺服器48伏中繼匯流排轉換器與備用電池單元等低中壓系統中，該產品組合可實現磁性元件體積縮小30%至60%、功率密度提升1.5倍至2倍，並根據拓撲結構不同帶來0.5%至2%的效率提升。針對AI電源機櫃與功率因數校正級等高壓應用，onsemi聲稱可實現最高60%的磁性元件縮減以及0.5%至1%的效率提升，這些在資料中心規模下將產生顯著的加乘效應。

onsemi引用的行業預測顯示，AI資料中心到2030年預計將消耗美國高達9%的發電量，而電力與冷卻成本占資料中心總營運支出的比例可能高達40%。在一個100百萬瓦的設施中，每提升1個百分點的效率，便可轉化為每年約100萬美元的電費節省，這使得氮化鎵的切換速度優勢在超大規模數據中心具有顯著的經濟意義。

GaNEXUS元件採用熱強化封裝，具備業界標準的腳位布局——包括TOLL底部冷卻、TOLT頂部冷卻，以及雙面冷卻的3.3毫米×3.3毫米與5毫米×6毫米選項——以支援雙重供貨來源。當搭配onsemi的Treo平台進行整合感測、控制與電源管理時，該產品組合可實現完整的系統級電源解決方案，降低設計複雜度並加速認證時程。

競爭格局升溫

onsemi進入的氮化鎵市場已擠滿眾多成熟玩家。氮化鎵功率IC行業龍頭納微半導體（Navitas Semiconductor）已於6月8日宣布推出自家UHV-TO-247-4-ISO封裝，適用於1,200伏至3,300伏碳化矽MOSFET，目標鎖定電網級功率轉換與電池儲能系統。Navitas聲稱，該封裝能以分立元件形式提供模組級性能，同時無需外部高壓隔離。

英飛凌科技（Infineon Technologies）與德州儀器（Texas Instruments）同樣在氮化鎵領域投入巨資，英飛凌的CoolGaN產品組合涵蓋相似電壓範圍。競爭壓力甚至延伸至晶圓代工層面：為多家晶片公司製造氮化鎵矽晶圓的台積電，已隨著資料中心與汽車客戶需求加速成長而擴大了氮化鎵製程產品線。

研究機構亦正推動該技術進一步發展。弗勞恩霍夫應用固態物理研究所（Fraunhofer IAF）近期展示了一款基於氮化鎵的功率模組，用於800伏雙向直流充電系統，在8.3公升、5.7公斤的車外充電器中實現3千瓦功率。這項名為GaN4EmoBiL的計畫凸顯了氮化鎵在電動車充電基礎設施中的潛力——效率與體積緊湊度直接影響採用成本。

投資視角

onsemi股價目前約為預期盈餘的22倍，低於費城半導體指數28倍的平均水準，反映投資人對該公司汽車與工業終端市場曝險的謹慎態度。GaNEXUS的推出讓onsemi的營收來源多元化，切入成長更為快速的AI資料中心電源傳輸領域——該公司已在此市場以EliteSiC碳化矽產品組合參與競爭。如果GaNEXUS到2030年能在預估達90億美元的氮化鎵電源市場中拿下5%的市占率，這將代表約4.5億美元的增量營收，相當於onsemi過去12個月營收的約4%。該公司未揭露GaNEXUS的定價或初期客戶名單。

本文僅供資訊參考，不構成投資建議。