鎧俠大漲10%：第十代NAND開始送樣，瞄準AI數據中心

鎧俠的332層NAND晶片位元密度提升59%，數據傳輸速度快30%，在AI儲存市場挑戰三星與SK海力士。

鎧俠控股株式會社（Kioxia Holdings Corp.）開始向AI數據中心送樣其第十代BiCS FLASH記憶體。這款332層晶片擁有59%更高的位元密度及4.8 Gb/s的介面速度，在NAND市場上對三星電子（Samsung Electronics Co.）與SK海力士（SK Hynix Inc.）構成挑戰。

「我們未看到數據中心客戶需求出現減弱跡象，」執行長太田裕朗（Hiroo Ota）在一場媒體活動中表示，並補充說鎧俠可能增加資本支出，以滿足日益增長的AI儲存需求。

這款1Tb TLC裝置在鎧俠位於岩手縣的北上工廠Fab2生產，採用CMOS直接鍵合到陣列（CBA）技術，與第八代產品相比，介面速度提升了33%。據公司表示，寫入功耗效率提升了18%，讀取功耗效率提升了30%。量產計劃於2027年進行。

隨著AI從訓練轉向推論，帶動高容量NAND儲存需求，鎧俠市值今年已飆漲超過七倍，突破兩千五百億美元，超越豐田汽車（Toyota Motor Corp.）。該公司缺乏高頻寬記憶體（HBM）產品線——這是相較於韓國競爭對手（將NAND與HBM捆綁銷售）的戰略弱點——但岩井Cosmo證券分析師齊藤和義（Kazuyoshi Saito）估計，鎧俠在NAND性能與功耗效率上持有兩至四年的領先優勢。

為何止步332層而非400層以上

鎧俠決定止步於332層——而競爭對手正朝400層以上推進——反映了刻意的權衡取捨。鎧俠記憶體事業部總經理井上篤（Atsushi Inoue）表示，堆疊超過400層會增加功耗，因為讀寫操作期間有更多儲存層被激活，且更薄的儲存單元層可能降低電荷保持能力。井上表示，與400層以上的方案相比，332層設計每GB成本降低約10%，功耗效率提升約10%，可靠性提高約35%。

CBA技術自第八代導入以來，已將介面速度從3.6 Gb/s推升至4.8 Gb/s。據EE Times Japan估計，這項領先優勢使鎧俠在數據傳輸性能上約領先競爭對手一年。

韓國競爭對手擴充產能

在鎧俠推進技術的同時，SK海力士與三星正積極擴充NAND產能。SK海力士於7月2日宣布，計劃在清州投資100兆韓元（約六千一百五十億美元）興建新園區，其中80兆韓元將用於M17 NAND製造廠。執行長郭埈旭（Kwak Noh-jung）表示，NAND需求快速增長，而供應仍偏緊，新廠將於明年動工，目標在2029年上半年投產。

根據韓媒《The Bell》今年4月報導，三星也計劃在其平澤P5園區新建一條NAND生產線，無塵室預計明年完工。三大NAND製造商同步擴產，引發市場對可能出現供應過剩及價格壓力的擔憂——這是鎧俠股價在最新消息公布前承壓的因素之一。

據Omdia分析師南川明（Akira Minamikawa）指出，鎧俠在數據中心NAND的市佔率約為10%，而三星約為40%，SK海力士約為30%。不過，南川表示，鎧俠的晶片數據處理速度快於競爭對手，而美國超大規模數據中心業者將此項指標視為首要考量。「第十代晶片在此領域實現了重大突破，」他表示，「競爭力非常強。」

鎧俠股價盤中一度下跌12%，最終收漲超過10%，反映出產品里程碑的正面影響以及太田對需求的信心喊話。該股今年以來已累計上漲超過680%。公司正考慮進行股票分割，並計劃在2027年4月開始的會計年度初期，於美國交易所上市美國存託憑證（ADR），以擴大投資人基礎。SK海力士也在尋求赴美上市，目標籌資高達294億美元，亞洲半導體企業正藉此獲取更深厚的資本池，以支應AI驅動的擴張計劃。

本文僅供參考，不構成投資建議。